XP4P090N YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 353+ | 0.71 EUR |
| 575+ | 0.4 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details XP4P090N YAGEO XSEMI
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Weitere Produktangebote XP4P090N nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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XP4P090N | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4P090 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4P090N | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP4P090N |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Produktpalette: XP4P090 Series
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Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 353+ | 0.71 EUR |
| 575+ | 0.4 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| XP4P090N |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 3000+ | 0.43 EUR |
| 9000+ | 0.37 EUR |