XP60SA290DH YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
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Technische Details XP60SA290DH YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP60SA290D Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.
Weitere Produktangebote XP60SA290DH nach Preis ab 0.88 EUR bis 4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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XP60SA290DH | YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252 |
auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP60SA290DH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XP60SA290DH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| XP60SA290DH | X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 3000+ | 1.25 EUR |
| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| XP60SA290DH |
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Hersteller: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
N-channel MOSFET
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| 163+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |