XP60SA290DH YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.34 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.16 EUR |
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Technische Details XP60SA290DH YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP60SA290D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP60SA290DH nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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XP60SA290DH | YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252 |
auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP60SA290DH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XP60SA290DH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| XP60SA290DH | X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 2.16 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 3000+ | 1.05 EUR |
| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XP60SA290DH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252
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Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP60SA290D Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| XP60SA290DH |
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Hersteller: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
N-channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 163+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 3000+ | 0.72 EUR |