XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.68 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
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Technische Details XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65AN1K2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP65AN1K2IT nach Preis ab 1.22 EUR bis 3.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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XP65AN1K2IT | Hersteller : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP65AN1K2IT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP65AN1K2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |