auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 11.72 EUR |
| 10+ | 10.05 EUR |
| 25+ | 9.12 EUR |
| 100+ | 8.36 EUR |
| 250+ | 7.87 EUR |
| 500+ | 7.37 EUR |
| 1000+ | 6.65 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP65SL190DI YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65SL190D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP65SL190DI nach Preis ab 7.45 EUR bis 11.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP65SL190DI | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
XP65SL190DI | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP65SL190D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |