XPJ1R504PB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 197W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: S-TOGL, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm.