XSM6K336NW,LXHF(A TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XSM6K336NW,LXHF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, WFDFN2020B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 2.43 EUR |
| 141+ | 1.65 EUR |
| 229+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
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Technische Details XSM6K336NW,LXHF(A TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XSM6K336NW,LXHF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, WFDFN2020B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.