Produkte > YANGJIE TECHNOLOGY > YJQ4666B
YJQ4666B

YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -16V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -28A, Power dissipation: 2.2W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.

Weitere Produktangebote YJQ4666B nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.081 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
YJQ4666B YJQ4666B Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
890+0.081 EUR
1160+0.062 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 890
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH