Produkte > DIODES INCORPORATED > ZHB6792TA
ZHB6792TA

ZHB6792TA Diodes Incorporated

ZHB6792.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SM8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.78 EUR
2000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZHB6792TA Diodes Incorporated

Description: TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SM8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-223-8, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SM8.

Weitere Produktangebote ZHB6792TA nach Preis ab 1.69 EUR bis 5.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZHB6792TA ZHB6792TA Hersteller : Diodes Incorporated ZHB6792.pdf Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-70V
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.1 EUR
10+3.33 EUR
100+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZHB6792TA ZHB6792TA Hersteller : Diodes Incorporated ZHB6792.pdf Description: TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SM8
auf Bestellung 12628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.21 EUR
10+3.4 EUR
100+2.37 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZHB6792TA ZHB6792.pdf
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZHB6792TA ZHB6792TA Hersteller : Diodes Zetex zhb6792.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 2000mW 8-Pin SM8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZHB6792TA ZHB6792TA Hersteller : Diodes Inc zhb6792.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 8-Pin SM8 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZHB6792TA Hersteller : Bourns ZHB6792.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH