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Technische Details ZTX855 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZTX855 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZTX855 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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ZTX855 | Diodes Incorporated |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
auf Bestellung 6129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZTX855 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W |
auf Bestellung 6691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZTX855 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX855 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZTX855 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
auf Bestellung 6129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.68 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
| 4000+ | 0.81 EUR |
| ZTX855 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.2 W
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.89 EUR |
| 12+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 4000+ | 0.75 EUR |
| ZTX855 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX855 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZTX855 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 3 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 175+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |