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Technische Details ZTX857STZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZTX857STZ nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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ZTX857STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINEPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W |
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ZTX857STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
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ZTX857STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W |
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ZTX857STZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| ZTX857STZ |
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ZTX857STZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
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ZTX857STZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
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