ZTX857STZ

ZTX857STZ Diodes Incorporated


ZTX857.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.94 EUR
12+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZTX857STZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote ZTX857STZ nach Preis ab 0.76 EUR bis 1.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
ZTX857STZ ZTX857STZ Hersteller : Diodes Incorporated ZETXD004_7-2544121.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
auf Bestellung 13999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.97 EUR
10+ 1.6 EUR
100+ 1.25 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.86 EUR
2000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
ZTX857STZ ZTX857STZ Hersteller : DIODES INC. ZETXD004-7.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZTX857STZ ZTX857.pdf
auf Bestellung 8668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ZTX857STZ ZTX857STZ Hersteller : Diodes Zetex ztx857.pdf Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box
Produkt ist nicht verfügbar
ZTX857STZ ZTX857STZ Hersteller : Diodes Inc ztx857.pdf Trans GP BJT NPN 300V 3A 1200mW 3-Pin E-Line Box
Produkt ist nicht verfügbar
ZTX857STZ ZTX857STZ Hersteller : Diodes Incorporated ZTX857.pdf Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
Produkt ist nicht verfügbar