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ZTX857STZ

ZTX857STZ Diodes Incorporated

ZTX857.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details ZTX857STZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote ZTX857STZ nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZTX857STZ ZTX857STZ Diodes Incorporated ZETXD004_7-2544121.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
auf Bestellung 11205 Stücke:
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2+2.22 EUR
10+1.55 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZTX857STZ ZTX857STZ Diodes Incorporated ZTX857.pdf Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 7971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
10+1.84 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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ZTX857STZ ZTX857STZ DIODES INC. ZTX857.pdf Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2176 Stücke:
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Description: TRANS NPN 300V 3A E-LINE
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Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.2 W
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Description: DIODES INC. - ZTX857STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 3 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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