ZVN2106G DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZVN2106G DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Anzahl der Pins: 3Pins, productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Weitere Produktangebote ZVN2106G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
ZVN2106G | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN2106G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
ZVN2106G********** |
auf Bestellung 28501 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||
ZVN2106G | Hersteller : ZETEX | 06+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
ZVN2106G | Hersteller : ZETEX | 07+ SOT223 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
ZVN2106G | Hersteller : ZETEX | SOT223 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
ZVN2106G Produktcode: 108229 |
Hersteller : Diodes Incorporated |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|