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Technische Details ZVN2110ASTZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN2110ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZVN2110ASTZ nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN2110ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line |
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ZVN2110ASTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ZVN2110ASTZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.32A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
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