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ZVN4206A

ZVN4206A DIODES INCORPORATED

ZVN4206A.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
350+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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Technische Details ZVN4206A DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZVN4206A ZVN4206A Diodes Incorporated ZVN4206A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 19418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
17+1.08 EUR
100+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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ZVN4206A ZVN4206A Diodes Incorporated ZVN4206A.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.54 EUR
10+1.11 EUR
100+0.66 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ZVN4206A ZVN4206A DIODES INC. ZVN4206A.pdf Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZVN4206A
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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MOSFETs N-Chnl 60V
auf Bestellung 5655 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+1.11 EUR
100+0.66 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.49 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7289 Stücke:
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