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ZVN4306GVTA

ZVN4306GVTA Diodes Zetex

zvn4306gv.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZVN4306GVTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA DIODES INC. DIOD-S-A0014230157-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 1009 Stücke:
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ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA DIODES INC. DIOD-S-A0014230157-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
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ZVN4306GVTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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ZVN4306GVTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
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500+3.05 EUR
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ZVN4306GVTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1153 Stücke:
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ZVN4306GVTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306GVTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
100+3.08 EUR
500+3.05 EUR
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