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ZVP2110GTA

ZVP2110GTA Diodes Zetex

zvp2110g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZVP2110GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+1.78 EUR
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Incorporated ZVP2110G.pdf MOSFETs P-Chnl 100V
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA Diodes Zetex zvp2110g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZVP2110GTA ZVP2110GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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ZVP2110GTA
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Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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ZVP2110GTA DIOD-S-A0014377426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVP2110GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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ZVP2110GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
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