ZVP2120GTA
Produktcode: 176577
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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ZVP2120GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVP2120GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 200V |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVP2120GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 34629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVP2120GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVP2120GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZVP2120GTA | Hersteller : ZETEX |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |

