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ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated


ZXM62P02E6.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
auf Bestellung 84000 Stücke:
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Technische Details ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXM62P02E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
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ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6.pdf MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
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10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
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ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA DIODES INC. ZXM62P02E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P02E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA DIODES INC. ZXM62P02E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P02E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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ZXM62P02E6TA ZETEX ZXM62P02E6.pdf 03/04+ SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
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Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
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Description: DIODES INC. - ZXM62P02E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Description: DIODES INC. - ZXM62P02E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ZETEX
03/04+ SOT23-6
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