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ZXMC10A816N8TC

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Produktcode: 184010
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
124+1.88 EUR
173+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8.pdf MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8TC DIODES INC. DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
110+2.12 EUR
168+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
248+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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ZXMC10A816N8TC zxmc10a816n8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
248+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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ZXMC10A816N8TC DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
124+1.88 EUR
173+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TC ZXMC10A816N8.pdf
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TC DIODS09143-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
ZXMC10A816N8TC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
110+2.12 EUR
168+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH