ZXMC10A816N8TC
Produktcode: 184010
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE |
auf Bestellung 7705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMC10A816N8TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMC10A816N8TC | Hersteller : Diodes Inc./Zetex |
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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