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ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA DIODES INC.

DIODS14911-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
131+1.77 EUR
221+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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Technische Details ZXMC3AMCTA DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3020B, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA DIODES INC. DIODS14911-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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100+2.57 EUR
131+1.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated ZXMC3AMC.pdf MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+1.59 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated ZXMC3AMC.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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ZXMC3AMCTA Diodes Zetex ZXMC3AMC.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1026 Stücke:
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ZXMC3AMCTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
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Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
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7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1026 Stücke:
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