Produkte > DIODES ZETEX > ZXMC6A09DN8TA
ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA Diodes Zetex

zxmc6a09dn8.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.92 EUR
56+2.56 EUR
57+2.44 EUR
100+1.95 EUR
250+1.86 EUR
500+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZXMC6A09DN8TA Diodes Zetex

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote ZXMC6A09DN8TA nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Zetex zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.92 EUR
56+2.56 EUR
57+2.44 EUR
100+1.95 EUR
250+1.86 EUR
500+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.06 EUR
10+2.55 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.36 EUR
10+2.97 EUR
100+2.02 EUR
250+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Inc zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Zetex zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH