ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex
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Technische Details ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXMHC6A07N8TC nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.66 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||||
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| ZXMHC6A07N8TC |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
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ZXMHC6A07N8TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
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