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ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
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Technische Details ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 287500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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2+3.01 EUR
10+2 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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100+3.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 289923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+1.98 EUR
100+1.31 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 95000 Stücke:
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 287500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.86 EUR
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
auf Bestellung 42134 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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ZXMHC6A07N8TC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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100+3.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 289923 Stücke:
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7+3.17 EUR
11+1.98 EUR
100+1.31 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
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