Technische Details ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote ZXMHC6A07N8TC nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 870mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMHC6A07N8TC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated |
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A |
auf Bestellung 42086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 4484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMHC6A07N8TC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
| ZXMHC6A07N8TC |
|
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.73 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.93 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.55 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
auf Bestellung 42086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 2.17 EUR |
| 25+ | 1.83 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 4.27 EUR |
| 91+ | 2.55 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
| ZXMHC6A07N8TC |
|
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)