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ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated

ZXMN10A07F.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
auf Bestellung 961575 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote ZXMN10A07FTA nach Preis ab 0.25 EUR bis 11.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
297+0.49 EUR
385+0.37 EUR
389+0.35 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 297
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
261+0.56 EUR
297+0.46 EUR
385+0.34 EUR
389+0.32 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 261
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN10A07F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
auf Bestellung 961760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
29+0.61 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 16901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.92 EUR
10+0.65 EUR
100+0.47 EUR
250+0.46 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EF5F2323EA075EA&compId=ZXMN10A07F.pdf?ci_sign=2f5603a48eafeda2aa22965513edec3a1e1a9821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : DIODES INC. 1899068.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : DIODES INC. 1899068.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Inc zxmn10a07f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07F.pdf
auf Bestellung 35800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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