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ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex


zxmn10a07z.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V.

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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN10A07Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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228+ 0.31 EUR
239+ 0.3 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN10A07Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Incorporated DIODS15216_1-2541754.pdf MOSFET 100V N-Chnl UMOS
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1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.44 EUR
10000+ 0.43 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Inc zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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