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ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex

zxmn10a07z.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex zxmn10a07z.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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247+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.52 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
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100+0.8 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
auf Bestellung 258 Stücke:
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11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
25+1.04 EUR
50+0.92 EUR
100+0.81 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA DIODES INC. ZXMN10A07Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
149+1.56 EUR
229+0.94 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA DIODES INC. ZXMN10A07Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 896 Stücke:
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149+1.56 EUR
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ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA DIODES INCORPORATED ZXMN10A07Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
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ZXMN10A07ZTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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1000+0.42 EUR
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ZXMN10A07ZTA
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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250+0.69 EUR
500+0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.92 EUR
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500+0.75 EUR
1000+0.57 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
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ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
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149+1.56 EUR
229+0.94 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 896 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
149+1.56 EUR
229+0.94 EUR
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
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