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ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex

zxmn10a08dn8.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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Technische Details ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex zxmn10a08dn8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
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ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1019 Stücke:
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7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
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ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA DIODES INC. DIODS12098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
129+1.81 EUR
183+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA DIODES INC. DIODS12098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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ZXMN10A08DN8TA DIODES/ZETEX ZXMN10A08DN8.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
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ZXMN10A08DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
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2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
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ZXMN10A08DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1019 Stücke:
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100+1.26 EUR
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ZXMN10A08DN8TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 376 Stücke:
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63+4.02 EUR
129+1.81 EUR
183+1.18 EUR
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ZXMN10A08DN8TA DIODS12098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A08DN8TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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129+1.81 EUR
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
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