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ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.30 EUR
21000+0.29 EUR
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Technische Details ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Zetex 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 5139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
245+0.60 EUR
248+0.58 EUR
296+0.46 EUR
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Zetex 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 5139 Stücke:
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229+0.65 EUR
245+0.58 EUR
248+0.56 EUR
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
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23+0.77 EUR
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1000+0.40 EUR
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000495884_1-2541829.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Inc 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Hersteller : Diodes Zetex 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
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