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ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
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Technische Details ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-26
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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