ZXMN10A11G DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details ZXMN10A11G DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ZXMN10A11G | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.9 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN10A11G | Hersteller : ZETEX | 06+; |
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