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ZXMN10A11GTA

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Produktcode: 131543
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Transistoren > MOSFET N-CH

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ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
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ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
auf Bestellung 90619 Stücke:
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ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
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10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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