Produkte > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A25GTA
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A25G.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.85 EUR
2000+0.8 EUR
5000+0.76 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote ZXMN10A25GTA nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
102+1.43 EUR
103+1.36 EUR
130+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.58 EUR
102+1.37 EUR
103+1.31 EUR
130+1 EUR
250+0.95 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 20480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.94 EUR
12+1.59 EUR
100+1.23 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.34 EUR
100+0.98 EUR
250+0.86 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Inc 33193496255258624zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH