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ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A25G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.95 EUR
2000+0.87 EUR
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Technische Details ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.71 EUR
103+1.68 EUR
130+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
102+1.65 EUR
103+1.57 EUR
130+1.2 EUR
250+1.14 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 22216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.36 EUR
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ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
auf Bestellung 1655 Stücke:
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2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN10A25GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 22216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
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auf Bestellung 1655 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN10A25GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.55 EUR
86+2.71 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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