ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.52 EUR |
| 6000+ | 0.49 EUR |
| 9000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMN2A03E6TA nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXMN2A03E6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N Channel |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN2A03E6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V |
auf Bestellung 18409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN2A03E6TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |