ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: MSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXMN3A02X8TA nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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ZXMN3A02X8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N Chnl UMOS |
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ZXMN3A02X8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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ZXMN3A02X8TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN3A02X8TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| ZXMN3A02X8TA |
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