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ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 23500 Stücke:
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Technische Details ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
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Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA DIODES INC. ZXMN3A04DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Diodes Incorporated
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AnzahlPreis
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Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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ZXMN3A04DN8TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
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