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ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6Q.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 3057 Stücke:
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2+1.72 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
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6000+0.48 EUR
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.74 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : Diodes Inc 487zxmn6a08e6q.pdf 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Hersteller : Diodes Zetex 487zxmn6a08e6q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
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ZXMN6A08E6QTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
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