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ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA Diodes Zetex

zxmn6a08g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXMN6A08GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf MOSFET 60V 3.8A N-Channel MOSFET
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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141+1.1 EUR
162+ 0.92 EUR
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237+ 0.58 EUR
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500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Inc 34084720014629936zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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