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ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA Diodes Zetex

zxmn6a09g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details ZXMN6A09GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+0.94 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.82 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.6 EUR
94+1.49 EUR
116+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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82+1.78 EUR
91+1.54 EUR
94+1.44 EUR
116+1.12 EUR
250+1.02 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC216436A758BF&compId=ZXMN6A09G.pdf?ci_sign=04dbc1273ac4c3eb2ce59b14697641c045db5b7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
56+1.28 EUR
61+1.18 EUR
76+0.94 EUR
100+0.84 EUR
200+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC216436A758BF&compId=ZXMN6A09G.pdf?ci_sign=04dbc1273ac4c3eb2ce59b14697641c045db5b7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf MOSFETs N-Ch 60V 7.5A
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
auf Bestellung 50721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.01 EUR
10+1.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INC. ZXMN6A09G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INC. ZXMN6A09G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Inc zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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ZXMN6A09GTA Hersteller : Zetex ZXMN6A09G.pdf N-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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