ZXMN6A09GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXMN6A09GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMN6A09GTA nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 60V 7.5A |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V |
auf Bestellung 50721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMN6A09GTA | Hersteller : Zetex |
N-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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ZXMN6A09GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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