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ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXMN7A11GTA Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Vgs (Max): ±20V, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated ZXMN7A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Zetex 33199739155902296zxmn7a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Zetex 33199739155902296zxmn7a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated DIOD_S_A0000449600_1-2541827.pdf MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
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ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated ZXMN7A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
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ZXMN7A11GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Description: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
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