ZXMP10A18KTC Diodes Zetex
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Technische Details ZXMP10A18KTC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP10A18KTC nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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ZXMP10A18KTC Produktcode: 164134 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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ZXMP10A18KTC | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| ZXMP10A18KTC | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| ZXMP10A18KTC | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.8A; Idm: -21.1A; 4.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -21.1A Power dissipation: 4.3W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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