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ZXMP3A16N8TA

ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated


ZXMP3A16N8.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS
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Technische Details ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
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ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Hersteller : DIODES INC. DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Hersteller : DIODES INC. DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Hersteller : Diodes Inc zxmp3a16n8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
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