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ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA Diodes Zetex

zxmp6a13g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXMP6A13GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmp6a13g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmp6a13g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMP6A13G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
130+0.55 EUR
131+0.54 EUR
200+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 105
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMP6A13G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.8A
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
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Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.8 EUR
100+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
auf Bestellung 15125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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17+1.06 EUR
21+0.85 EUR
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000449399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Hersteller : Diodes Inc 34091113390400404zxmp6a13g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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