ZXMP6A13GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXMP6A13GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.
Weitere Produktangebote ZXMP6A13GTA nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Pulsed drain current: -7.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.595Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Pulsed drain current: -7.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.595Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET 60V P-Chnl UMOS |
auf Bestellung 8030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
auf Bestellung 6494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
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ZXMP6A13GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V |
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