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Technische Details ZXMP6A16DN8TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXMP6A16DN8TA
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ZXMP6A16DN8TA | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZXMP6A16DN8TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A16DN8TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R |
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ZXMP6A16DN8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXMP6A16DN8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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