ZXMP6A17E6QTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXMP6A17E6QTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXMP6A17E6QTA nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3717000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC |
auf Bestellung 5156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Case: SOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -13.6A Drain current: -3A Gate charge: 17.7nC On-state resistance: 0.125Ω Power dissipation: 1.92W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 |
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ZXMP6A17E6QTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |