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Technische Details ZXMP6A18DN8TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP6A18DN8TA nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 29500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 29511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A18DN8TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
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