ZXT849KTC Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 30V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 4.2 W
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.84 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details ZXT849KTC Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXT849KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXT849KTC nach Preis ab 0.84 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXT849KTC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V |
auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXT849KTC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 30V 7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 4.2 W |
auf Bestellung 38335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXT849KTC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT849KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXT849KTC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT849KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXT849KTC |
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