ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.34 EUR |
| 12+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
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Technische Details ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXTN2010ZQTA nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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