ZXTN2010ZQTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN2010ZQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXTN2010ZQTA nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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ZXTN2010ZQTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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