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ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA Diodes Zetex

zxtn2010z.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTN2010ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2010z.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2010Z.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455639_1-2542775.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power
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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2010Z.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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Power - Max: 2.1 W
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Produktcode: 118424
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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006455639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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ZXTN2010ZTA ZXTN2010ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006455639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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auf Bestellung 144000 Stücke:
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ZXTN2010ZTA Hersteller : DIODES/ZETEX ZXTN2010Z.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0; ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 50
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