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ZXTN2010ZTA Diodes Zetex

Name: ZXTN2010ZTA
Brand: Diodes Zetex
SKU: 38132394-5
Price: 270.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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Technische Details ZXTN2010ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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ZXTN2010ZTA

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ZXTN2010ZTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W

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500+	0.43 EUR
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Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power

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ZXTN2010ZTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W

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11+	1.65 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR

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Hersteller : DIODES INC.

DIOD-S-A0006455639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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ZXTN2010ZTA

Hersteller : DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT89
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz

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ZXTN2010ZTA
Produktcode: 118424

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ZXTN2010ZTA

Hersteller : DIODES/ZETEX

Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0; ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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