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ZXTN2018FQTA

ZXTN2018FQTA Diodes Incorporated


ZXTN2018FQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details ZXTN2018FQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXTN2018FQTA ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN2018FQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
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ZXTN2018FQTA ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189268_1-2543249.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor
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500+ 0.8 EUR
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ZXTN2018FQTA ZXTN2018FQTA Hersteller : DIODES INC. ZXTN2018FQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXTN2018FQTA ZXTN2018FQTA Hersteller : DIODES INC. ZXTN2018FQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2018fq.pdf NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
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ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2018fq.pdf NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
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ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Inc zxtn2018fq.pdf Pwr Low Sat Transistor SOT23 T&R 3K
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ZXTN2018FQTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn2018fq.pdf NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
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