ZXTN25100DFHTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN25100DFHTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 450hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN25100DFHTA nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2.5A Power dissipation: 1.81W Case: SOT23 Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2.5A Power dissipation: 1.81W Case: SOT23 Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175MHz |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 450hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXTN25100DFHTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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