ZXTN25100DGTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN25100DGTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN25100DGTA nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25100DGTA | Hersteller : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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