Produkte > DIODES ZETEX > ZXTN25100DGTA
ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA Diodes Zetex


40916327376784400zxtn25100dg.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.38 EUR
2000+ 0.33 EUR
5000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZXTN25100DGTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote ZXTN25100DGTA nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.38 EUR
2000+ 0.33 EUR
5000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.39 EUR
2000+ 0.35 EUR
5000+ 0.33 EUR
10000+ 0.31 EUR
25000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 86890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.93 EUR
23+ 0.8 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
auf Bestellung 26514 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.33 EUR
46+ 1.14 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.48 EUR
5000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 40
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Hersteller : Diodes Inc 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar