ZXTN25100DZTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN25100DZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.46W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTN25100DZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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