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ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA Diodes Zetex


zxtn5551g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTN5551GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : DIODES INC. DIODS15664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : Diodes Inc zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
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