ZXTN5551GTA Diodes Zetex
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| Anzahl | Preis |
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| 1143+ | 0.13 EUR |
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Technische Details ZXTN5551GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN5551GTA nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN |
auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2 W |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN5551GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2 W |
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