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ZXTP2008ZTA

ZXTP2008ZTA Diodes Zetex

162167980674146zxtp2008z.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTP2008ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 326000 Stücke:
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2000+0.46 EUR
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTP2008Z.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5.5A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
89+0.81 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTP2008Z.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5.5A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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89+0.81 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.95 EUR
10+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 326663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
14+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Zetex 162167980674146zxtp2008z.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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ZXTP2008ZTA Hersteller : onsemi / Fairchild ZXTP2008Z.pdf Bipolar Transistors - BJT
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