ZXTP2008ZTA

ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated


ZXTP2008Z.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 387000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote ZXTP2008ZTA nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.16 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.00 EUR
10+0.87 EUR
100+0.60 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 387908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Hersteller : Diodes Inc 162167980674146zxtp2008z.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH